УДК 621.315.592.9
НЕОДНОРОДНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА,
ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА
А.А. Волошин1 инженер каф. 502; А.А. Полубояров2 м.н.с.;
О.Н. Чугай1,д.т.н., профессор
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского «ХАИ»
2НТК «Институт монокристаллов» НАН Украины, Харьков
Кристаллы Cd1-xZnxTe применяются в оптоэлекронике, но особенно широко в спектрометрии гамма-излучения, являясь основой неохлаждаемых детекторов излучения. В последнем случае важное значение для качества кристаллов имеют электрические и фотоэлектрические свойства, определяемые разнообразными собственными дефектами структуры. В силу разных причин, тесно связанных с условиями роста кристаллов, эти дефекты неоднородно распределены в его объеме. Этим определяется научное и практическое значение исследования неоднородности указанных свойств кристаллов.
Исследовали кристаллы Cd1-xZnxTe (х = 0,10 - 0,20), выращенные из расплава методом Бриджмена-Стокбаргера в Институте Монокристаллов НАНУ. Образцы были вырезаны из различных частей пластины, ориентированной своей плоскостью параллельно оси кристаллического слитка. Подготовка поверхности образцов к измерениям включала механическую обработку и нанесение токопроводящего лака ТЛС. Действительную и мнимую части диэлектрической проницаемости образцов измеряли в низкочастотной области в темноте и возбуждении белым светом интенсивностью около 0,2 Вт/см2.
Обнаружены закономерные изменения обеих составляющих диэлектрической проницаемости и их приращений на свету как в осевом, так и в радиальном направлениях кристаллического слитка. Причем для темновых значений и характерна анизотропия, при которой физически выделенным является направление роста кристаллического слитка. Наблюдались закономерные изменения кинетики этих величин после прекращения фотовозбуждения.
Особенности диэлектрических и фотодиэлектрических свойств исследованных кристаллов объяснены влиянием условий роста на систему их собственных дефектов структуры. При этом ключевую роль играют сегрегация Zn по мере роста кристаллического слитка, а также обеднение Cd областей, более удаленных от его оси. Обнаруженные особенности свойств могут использоваться при контроле пригодности кристаллов CdZnTe для спектрометров гамма-излучения.
Нет похожих статей